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                锗怎么走了单晶生长炉KX100-Ge -大连连城数控机器股份有限公他为何从来都不阻止司
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                • 最优化的4-8英寸CZ法锗单晶生长方案
                • 领先的全数字控我会告诉倩倩制系统
                • 先进∩的热场设计
                • 国际上锗晶体生长公司的首选

                锗单晶生长炉KX100-Ge
                Performance  性能
                  Typical Ingot Diameter 单晶直径   100-200 mm(4-8")
                  Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
                  Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12”)
                  Furnace Diameter 炉室内径   865 mm
                  Seed Lift Rate 籽晶※提升速率   0-508 mm/hr
                  Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升⌒速率(最大)   508 mm/min
                  Total Crucible Travel 坩锅最大◤行程   380 mm (15")
                  Crucible Lift Rate 坩锅提牡丹花下风流客升速率   0-254 mm/hr
                  Crucible Jog Speed (Nominal)  坩◆锅快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
                  Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转∴速率(可逆)   0-50 rpm
                  Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm

                Silicon Charge Capacity硅投料量
                  Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 热场尺寸取决于坩锅直☆径
                  Crucible Diameter
                  坩锅直径
                  Crucible Height
                  坩锅高度
                  Charge Size
                  投料量
                  20.0 in   15.0 in   120 kg
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